Artikelmerkmale
Artikelzustand:
Gebraucht:
Artikel wurde bereits benutzt. Ein Artikel mit Abnutzungsspuren, aber in gutem Zustand und vollkommen funktionsfähig. Bei dem Artikel handelt es sich unter Umständen um ein Vorführmodell oder um einen Artikel, der an den Verkäufer nach Gebrauch zurückgegeben wurde. Weitere Einzelheiten, z. B. genaue Beschreibung etwaiger Fehler oder Mängel im Angebot des Verkäufers. Alle Zustandsdefinitionen aufrufenwird in neuem Fenster oder Tab geöffnet
Hinweise des Verkäufers:
“Die Ware befindet sich in einem optisch sowie technisch guten Zustand, wurde sorgfältig geprüft und gereinigt. Optische Gebrauchsspuren oder kleinere Kratzer können vorhanden sein.”
Maximale Frequenz:
1600 MHz
Latenz:
CL11
Modulkapazität:
4 GB
Anzahl der Module:
1
Gesamtkapazität:
4 GB
Kapazität pro Modul:
4 GB
Modell:
Notebook RAM
Speicher-Eigenschaften:
Laptop RAM, Unbuffered
Busgeschwindigkeit:
PC3L-12800S (DDR3-1600)
Anzahl der Pins:
204
Spannung:
1.35 V
Produktart:
DDR3 SODIMM
Speichertyp:
DDR3 SODIMM
Formfaktor:
SODIMM
Marke:
Kingston Samsung SK Hynix Nanya diverse
Herstellernummer:
Notebook RAM
EAN:
Nicht zutreffend
4 GB Laptop RAM DDR3 1600 Sony Vaio VPCEB1S1E VPCEB1M1E Speicher
Preis : 19.90
endet am : N/A
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